Канал электроники SOT-23-3 2N7002K одиночный n интегральной схемаы SMD
Электроника интегральной схемаы SMD
,Электроника SOT-23-3 интегральной схемаы
,2N7002K
Поставщик электроники интегральной схемаы новый и первоначальный в обслуживании 2N7002K Bom запаса
Продукты Описание:
Небольшой MOSFET 60 v сигнала, 380 мам, одиночный N-канал, MOSFET 60 v сигнала SOT -23 небольшой, 380 мам, одиночных, N−Channel, SOT−23
MOSFET N-канала режима повышения, полупроводник Фэйрчайлда
Транзисторы влияния поля режима повышения (FETs) произведены используя технологию плотности клеток DMOS Фэйрчайлда запатентованную высокую. Этот процесс высокой плотности конструирован для того чтобы уменьшить сопротивление на-государства, обеспечивающ крепкое и надежное представление и быстрое переключение.
MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R Trans
Транзистор MOSFET, канал n, 300 мам, 60 v, 2 ома, 10 v, 2,5 v
Стрессы превышая абсолютный максимум оценок могут повредить прибор. Прибор не может действовать или не порекомендован быть действующим над порекомендованными эксплуатационными режимами и усиливать части к этим уровням. Кроме того, выдвинутое подвержение к стрессам над порекомендованными эксплуатационными режимами может повлиять на надежность прибора. Оценки Theabsolute максимальные оценки стресса только. Значения на ЖИВОТИКАХ = 25°C если не указано иное
Технологические параметры:
| сопротивление Сток-источника | 2 Ω |
| Напряжение тока Сток-источника (Vds) | 60 v |
| Непрерывный стеките настоящее (id) | 0.38A |
| Входная емкость (Ciss) | 50pF @25V (Vds) |
| Расклассифицированная сила (Макс) | 350 mW |
| Рабочая температура | 55℃ | 150℃ |
| Упаковка | Лента & вьюрок (TR) |
| Минимальный пакет | 3000 |
| Изготовляя применения | Низкий бортовой переключатель нагрузки |
| Стандарт RoHS | RoHS уступчивое |