BSS123 SA SOT23 электронный IC откалывает установку держателя 3 Pin поверхностную
Электронный IC откалывает Pin 3
,Обломоки SOT23 электронные IC
,Электронные обломоки IC
Новый первоначальный обломок ic интегральной схемаы Bss123 Sa Sot23
Продукты Описание:
MOSFET 100V 170mA/0.17A SOT-23/SC-59 N-канала BSS123 отмечать переключение SA быстрые/уровень логики совместимые
Максимальное напряжение тока Сток-источника Vds напряжения тока Источник-стока| 100V ---|--- Максимальное напряжение тока Ворот-источника Vgs напряжения тока Ворот-источника (±)| id максимального стока 100V настоящий стекает настоящее| Источник-сток 170mA/0.17A на-resistanceΩRds DΩ На-государстве Ω/Ohmesistance /Ohmain-SouΩ/Ohmce| 3.4Ω/Ohm @1.7A, напряжение тока порога Ворот-источника Vgs напряжения тока включения 10V (th)| диссипация силы Pd 0.8-1.2V| описание 360mW/0.36W & применения| Транзистор влияния поля BSS100 режима повышения уровня логики N-канала: 0.22A, 100V. RDS (ДАЛЬШЕ) = 6W @ VGS = 10V. BSS123: 0.17A, 100V. RDS (ДАЛЬШЕ) = 6W @ дизайн клетки высокой плотности VGS = 10V для весьма - низким переключателя сигнала RDS (ДАЛЬШЕ) контролируемого напряжением тока небольшого. Изрезанный и надежный. Описание & применение | Транзистор влияния поля BSS100 режима повышения уровня логики N-канала: 0.22A, 100V. RDS (ДАЛЬШЕ) = 6W@VGS =10V. BSS123: 0.17A, 100V. Батарея высокой плотности RDS (НА) =6W@ VGS= 10V конструирована с весьма - низким напряжением тока RDS (ДАЛЬШЕ) для того чтобы контролировать небольшой переключатель сигнала.
Технологические параметры:
| Входная емкость (Ciss) | 73pF @25V (Vds) |
| сопротивление Сток-источника | 1,2 Ω |
| Мощность рассеяния | 360 mW |
| напряжение тока порога | 1,7 v |
| Напряжение тока Сток-источника (Vds) | 100 v |
| Метод установки | Поверхностный держатель |
| секретный номер | 3 |
| пакет | SOT-23-3 |
| Рабочая температура | -55℃ | 150℃ |
| Упаковка | Лента & вьюрок (TR) |