Канал 20V 9A 8WDFN Mosfet p транзистора NTTFS3A08PZTAG
Категория:
Обломок IC транзистора
Price:
Discussible
Метод оплаты:
L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Спецификации
Тип:
Mosfet
Тип пакета:
WDFN-8
Тип поставщика:
Первоначальный изготовитель, ODM, агенство, розничный торговец, другое
Средства массовой информации доступные:
схема данных, фото, EDA/CAD моделирует, другое
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
20 v
Рабочая температура:
-55 ℃ ℃~150
Устанавливать тип:
Поверхностный держатель
Пакет/случай:
WDFN-8, WDFN-8
Количество элементов:
1
Количество штырей:
8
Максимальная рабочая температура:
°C 150
конфигурация элемента:
одиночный
Минимальная рабочая температура:
-55 °C
Время восхода:
56 ns
Rds на Макс:
mΩ 6,7
RoHS:
Уступчивый
Выделить:
Транзистор NTTFS3A08PZTAG
,Канал 20V Mosfet p транзистора
,Транзистор 9A Mosfet p
Введение
P-канал MOSFETs одиночный P-CH 20V 9A 8WDFN FETs транзисторов NTTFS3A08PZTAG
Описание продуктов:
1. -20V, - 15A, 6,7 Mω, MOSFET силы P-канала
2. wdfn держателя 840mW P-канала 20V 9A (животиков) (животики) поверхностное 8 (3.3x3.3)
3. EP T/R MOSFET P-CH 20V 22A 8-Pin WDFN Trans
4. компоненты -20V, - 15A, 6.7m, сила MOSFETMOS NTTFS3A08PZTAG канала p
- Улучшите вашу эффективность:
- Универсальный соответствовать соединителей индукторов резистора конденсатора транзистора диода IC обслуживания Kitting списка электронных блоков BOM
- Res имеет профессиональную команду быстро для того чтобы соответствовать и закавычить для вас.
Требование к времени:
Время цитаты: < 1mins=""> < 3mins=""> Срок поставки: < 24="" hrs=""> < 48="" hrs=""> < 72="" hrs=""> Время PCB: < 72="" hrs=""> < 7="" days=""> Время PCBA: < 5="" days=""> * вышеуказанные данные только применимы к нормальным материалам во времени бездействия.Технологические параметры:
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК:
Discussible